[发明专利]用于窄边框LCD的GOA电路结构有效

专利信息
申请号: 201510432315.8 申请日: 2015-07-21
公开(公告)号: CN104966501B 公开(公告)日: 2017-07-28
发明(设计)人: 李文英;郝思坤 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所44265 代理人: 林才桂
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种用于窄边框LCD的GOA电路结构,包括锁存器、与非门、缓冲器单元、以及重置单元;输入信号输入锁存器,输出信号自缓冲器单元输出;所述缓冲器单元包括由第一金属层(1)、第二金属层(2)、及设于第一金属层(1)与第二金属层(2)之间的有源层(3)构成的多个TFT;每一TFT均具有双栅极,其底栅极由第一金属层(1)形成,其源极与漏极由第二金属层(2)形成,其顶栅极也由第二金属层(2)形成,能够减小缓冲器单元中TFT的尺寸以及缓冲器单元的宽度,从而减小GOA电路的宽度,使得LCD的边框较窄。
搜索关键词: 用于 边框 lcd goa 电路 结构
【主权项】:
一种用于窄边框LCD的GOA电路结构,其特征在于,包括:锁存器、与非门、缓冲器单元、以及重置单元,所述锁存器电性连接与非门及重置单元,所述与非门电性连接锁存器及缓冲器单元;输入信号输入锁存器,输出信号自缓冲器单元输出;所述缓冲器单元包括由第一金属层(1)、第二金属层(2)、及设于第一金属层(1)与第二金属层(2)之间的有源层(3)构成的多个TFT;每一TFT均具有双栅极,其底栅极由第一金属层(1)形成,其源极与漏极由第二金属层(2)形成,其顶栅极也由第二金属层(2)形成。
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