[发明专利]电阻式存储装置有效
| 申请号： | 201510417097.0 | 申请日： | 2015-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN106356451B | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 陈达;张文雄;吴健民 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/105;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电阻式存储装置，包括多数个存储单元对，各存储单元对包括主动区、第一字线及第二字线、源极线、第一电阻及第二电阻。主动区形成于基底上，第一字线及第二字线形成于该基底上，并与主动区交错。源极线形成于基底上并耦接至主动区。第一电阻及第二电阻配置于基底上，并分别耦接至主动区。第一位线及一第二位线形成于第一电阻及第二电阻之上，并耦接至第一电阻及第二电阻。其中，第一位线及第二位线大致与第一字线及第二字线平行的沿第一方向延伸。本发明的电阻式存储装置，可降低其操作过程中所可能产生的存储单元间的干扰现象。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种电阻式存储装置，其特征在于，包括：多数个存储单元对，依阵列方式配置于基底上，各所述存储单元对包括：主动区，形成于所述基底上；第一字线及第二字线，形成于所述基底上，并与所述主动区交错；源极线，形成于所述基底上，并耦接至所述主动区；第一电阻及第二电阻，配置于所述基底上，并分别耦接至所述主动区；以及第一位线及第二位线，形成于所述第一电阻及所述第二电阻之上，并耦接至所述第一电阻及所述第二电阻，其中，所述第一位线及所述第二位线大致与所述第一字线及所述第二字线平行的沿第一方向延伸。
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