[发明专利]用于能量存储器件的纳米结构电极及具有该电极的赝电容在审

专利信息
申请号: 201510403343.7 申请日: 2015-07-11
公开(公告)号: CN105023761A 公开(公告)日: 2015-11-04
发明(设计)人: 徐苗;李洪濛;李民;陈子凯;彭俊彪 申请(专利权)人: 广州新视界光电科技有限公司
主分类号: H01G11/26 分类号: H01G11/26;H01G11/28;H01G11/86
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人: 赵蕊红
地址: 510730 广东省广州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种用于能量存储器件的纳米结构电极及具有该电极的赝电容,纳米结构电极具有互导互联的金属纳米结构的引出电极,引出电极表面包覆有活性层。还设置有修饰层,修饰层设置于引出电极表面与活性层之间。引出电极为直径5 nm~500 nm、长度大于5 um金属纳米线。活性层的厚度设置为1 nm~1000 nm,活性层由一层或者多层子活性层叠设而成,子活性层的材料为过渡金属氧化物、导电聚合物或者复合赝电容材料中的任意一种。修饰层由一层或者多层子修饰层叠设而成,子修饰层的材料为金属氧化物、金属氮化物或者金属氟化物。该纳米结构电极具有表面积大的特点,使用该这种结构纳米结构电极的赝电容容量大。
搜索关键词: 用于 能量 存储 器件 纳米 结构 电极 具有 电容
【主权项】:
一种用于能量存储器件的纳米结构电极,其特征在于:具有互导互联的金属纳米结构的引出电极,所述引出电极表面包覆有活性层。
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