[发明专利]双悬臂梁开关砷化镓基低漏电流微波相位检测器

摘要

本发明的双悬臂梁开关砷化镓基低漏电流HEMT微波相位检测器，由双悬臂梁开关HEMT管和低通滤波器构成。HEMT管为增强型，衬底为GaAs。栅极的上方，设计悬臂梁，两个锚区制作在N+AlGaAs层上，下拉电极制作在悬臂梁的正下方，下拉电极上方是一层绝缘层。悬臂梁的下拉偏置电压设计为与HEMT管的阈值电压相等。当两个悬臂梁都被下拉，参考信号和待测信号通过双悬臂梁开关HEMT管实现信号相乘，经低通滤波器后完成相位检测。相比于传统的HEMT管，悬臂梁开关引入使得HEMT管具有更好的信号可控性，为电路实现多种模式之间切换提供了可能，同时降低了栅极漏电流，降低了漏电流功耗。

主权项

一种双悬臂梁开关砷化镓基低漏电流微波相位检测器，其特征在于该微波相位检测器由双悬臂梁开关HEMT管（14）与低通滤波器（15）级联构成，双悬臂梁开关HEMT管（14）为增强型，基于半绝缘GaAs衬底（4）制作，引线（12）和输入引线（13）都是Au制作；在GaAs衬底（4）上设有本征GaAs层（3），在本征GaAs层（3）上设有本征AlGaAs隔离层（2），在本征AlGaAs隔离层（2）上设有N+ AlGaAs层（1），栅极（7）位于GaAs衬底（4）上，栅极（7）的上方设有悬臂梁（6），悬臂梁（6）的一端固定在锚区（10）上，两个锚区（10）制作在N+ AlGaAs层（1）上，下拉电极（8）制作在悬臂梁（6）正下方的栅级（7）的外侧，下拉电极（8）上方是一层绝缘层（9）。