[发明专利]双固支梁开关砷化镓基低漏电流微波相位检测器有效
| 申请号： | 201510379538.2 | 申请日： | 2015-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN104950172B | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | 廖小平;闫浩 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G01R25/00 | 分类号： | G01R25/00 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249 | 代理人： | 杨晓玲 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明的双固支梁开关砷化镓基低漏电流HEMT微波相位检测器，由双固支梁开关HEMT管和低通滤波器构成。HEMT管为增强型，衬底为GaAs。栅极的上方，设计固支梁，两个锚区制作在N+AlGaAs层上，下拉电极制作在固支梁的正下方，下拉电极上方是一层绝缘层。固支梁的下拉偏置电压设计为与HEMT管的阈值电压相等。从而使得同一电路可以在信号放大与相位检测两种不同模式下切换。相比于传统的HEMT管，固支梁开关引入使得HEMT管具有更好的信号可控性，为电路实现多种模式之间切换提供了可能，同时降低了栅极漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 双固支梁 开关 砷化镓基低 漏电 微波 相位 检测器 | ||
【主权项】：
一种双固支梁开关砷化镓基低漏电流微波相位检测器，其特征在于该微波相位检测器由双固支梁开关HEMT管(14)与低通滤波器(15)级联构成，双固支梁开关HEMT管(14)为增强型，基于半绝缘GaAs衬底(4)制作，引线(12)和输入引线(13)都是Au制作；在GaAs衬底(4)上设有本征GaAs层(3)，本征GaAs层(3)上设有本征AlGaAs隔离层(2)，本征AlGaAs隔离层(2)上设有N+AlGaAs层(1)，栅极(7)位于N+AlGaAs层(1)上，栅极(7)的上方设有固支梁(6)，两个锚区(10)制作在N+AlGaAs层(1)上，下拉电极(8)制作在固支梁(6)正下方的栅级(7)的两侧，下拉电极(8)上方是一层绝缘层(9)；固支梁(6)的下拉偏置电压设计与双固支梁开关HEMT管(14)的阈值电压相等；当固支梁(6)上偏置电压达到或大于阈值电压时，固支梁(6)被下拉到贴在栅极(7)上，栅极(7)下方形成二维电子气沟道，从而使双固支梁开关HEMT管(14)导通；栅极(7)通过N+AlGaAs层(1)控制供给沟道的载流子的数量，载流子被限制在本征GaAs层(3)中的势阱内，形成一个二维电子气2DEG，本征AlGaAs隔离层(2)把N+AlGaAs层(1)中的离化施主与2DEG中的自由电子分隔开，确保了沟道中的高迁移率。
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