[发明专利]硅基低漏电流固支梁浮动栅的与非门

摘要

本发明的该与非门由两个NMOS管(10)和一个电阻R串联所构成，整个结构基于P型Si衬底(1)上制作，这两个NMOS管(10)均具有固支梁浮动栅(4)，该固支梁浮动栅(4)由Al制作，其两端固定在锚区(2)上，中间横跨在栅氧化层(9)上方，在固支梁浮动栅(4)下方有两个下拉电极(5)，分布在锚区(2)与栅氧化层(9)之间，下拉电极(5)是接地的，其上还覆盖有氮化硅介质层(6)；第一输入信号(A)接一个NMOS管(10)的固支梁浮动栅(4)，第二输入信号(B)接另一个NMOS管(10)的固支梁浮动栅(4)，信号输出端(Vout)为NMOS管(10)与电阻R之间，这种结构具有低漏电流、低功耗的特点。

主权项

一种硅基低漏电流固支梁浮动栅的与非门，其特征在于该与非门由两个NMOS管(10)和一个电阻R串联所构成，整个结构基于P型Si衬底(1)上制作，这两个NMOS管(10)均具有固支梁浮动栅(4)，该固支梁浮动栅(4)由Al制作，其两端固定在锚区(2)上，中间横跨在栅氧化层(9)上方，在固支梁浮动栅(4)下方有两个下拉电极(5)，分布在锚区(2)与栅氧化层(9)之间，下拉电极(5)是接地的，其上还覆盖有氮化硅介质层(6)；第一输入信号(A)接一个NMOS管(10)的固支梁浮动栅(4)，第二输入信号(B)接另一个NMOS管(10)的固支梁浮动栅(4)，信号输出端(Vout)为NMOS管(10)与电阻R之间，这种结构具有低漏电流、低功耗的特点；两个NMOS管(10)的阈值电压设计为相等，而固支梁浮动栅(4)的下拉电压设计为与NMOS管的阈值电压相等，只有当NMOS管的固支梁浮动栅(4)与下拉电极间的电压大于阈值电压时，悬浮的固支梁浮动栅(4)才会下拉贴至栅氧化层上使得NMOS管导通，否则NMOS管就截止；两个NMOS管的固支梁浮动栅(4)上都存在高电平时，NMOS管的固支梁浮动栅(4)就会下拉并使其导通，此时输出低电平；当两个NMOS管的固支梁浮动栅(4)上分别出现一高电平和一低电平时，只有一个NMOS管的固支梁浮动栅(4)会下拉，电路无法形成通路，此时输出高电平；当两个NMOS管的固支梁浮动栅(4)上都存在低电平时，NMOS管的固支梁浮动栅(4)还是处于悬浮状态，没有导通，因此输出高电平。