[发明专利]硅基低漏电流悬臂梁栅CMOS传输门及制备方法有效
| 申请号： | 201510378250.3 | 申请日： | 2015-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN104967437B | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 廖小平;王凯悦 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249 | 代理人： | 杨晓玲 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是一种硅基低漏电流悬臂梁栅CMOS传输门及制备方法，该传输门由悬臂梁栅NMOS管和悬臂梁栅PMOS管构成。该传输门的MOS管的制作在Si衬底上，其栅极是悬浮在栅氧化层上方的，形成悬臂梁结构。悬臂梁栅的下方设计有电极板。悬臂梁栅下拉电压设计为等于MOS管的阈值电压的绝对值。当在悬臂梁栅与电极板间的电压小于阈值电压的绝对值时，悬臂梁栅是悬浮在栅氧化层的上方而只有在悬臂梁栅与电极板间的电压达到或大于阈值电压的绝对值时，悬臂梁栅才会下拉到贴在栅氧化层上，此时若输入端与输出端的电平值不同，则MOS管导通。本发明在工作中栅氧化层中的场强较小，所以减小了栅极漏电流，有效地降低了功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基低 漏电 悬臂梁 cmos 传输 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅基低漏电流悬臂梁栅CMOS传输门，其特征是该传输门由悬臂梁栅NMOS管(1)和悬臂梁栅PMOS管(2)构成，悬臂梁栅NMOS管(1)和悬臂梁栅PMOS管(2)并联在一起，该传输门中的MOS管是制作在P型Si衬底(3)上，其引线(4)都是利用Al制作，对于传输门中的MOS管，其栅极是悬浮在栅氧化层(5)上方的，形成悬臂梁栅结构，这种悬臂梁栅(6)的锚区(7)制作在栅氧化层(5)上，悬臂梁栅(6)下方设计有电极板(8)，电极板(8)的上表面设有栅氧化层(5)的覆盖，悬臂梁栅NMOS管(1)的电极板(8)接地，而悬臂梁栅PMOS管(2)的电极板(8)接电源；悬臂梁栅NMOS管(1)的阈值电压设计为正，悬臂梁栅PMOS管(2)的阈值电压设计为负，两个MOS管的阈值电压的绝对值设计为相等，该悬臂梁栅(6)的下拉电压设计为与MOS管的阈值电压的绝对值相等；当悬臂梁栅与电极板间的电压大于或等于阈值电压绝对值时NMOS管或PMOS管的悬臂梁栅才贴在栅氧化层(5)上，而其他情况下都是悬浮的，栅氧化层中的场强减小，栅极的交流和直流漏电流将减小，从而使得功耗得到有效的减低。
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