[发明专利]高压负电压保护电路及方法有效
申请号: | 201510373856.8 | 申请日: | 2015-06-30 |
公开(公告)号: | CN106329487B | 公开(公告)日: | 2018-12-14 |
发明(设计)人: | 覃超;尤勇;王雷一 | 申请(专利权)人: | 华润矽威科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H02H7/18 | 分类号: | H02H7/18;H02J7/00 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 201103 上海市闵行区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供高压负电压保护电路及方法,包括:栅端连接输入信号、源端连接正电压的第一PMOS管;一端连接第一PMOS管,另一端连接负电压的电流源;栅端连接第一PMOS管、源端连接正电压的第二PMOS管;一端连接第二PMOS管、另一端连接负电压、控制端通过限流模块连接至第一PMOS管的漏端的负电压下拉模块;一端连接负、电压下拉模块的控制端、另一端连接负电压的钳位模块。当进行充电时输出端电压被拉高至正电压,当进行充电关断保护时输出端电压被拉低至负电压,以此实现高压负电压保护。本发明采用通用的P‑sub工艺,成本和通用性上面更有优势;采用隔离型的5V低压NMOS替代大电阻,实现了5KΩ左右的输出下拉电阻,同时节省了芯片面积;还可实现0V电池充电的功能。 | ||
搜索关键词: | 高压 电压 保护 电路 方法 | ||
【主权项】:
1.一种高压负电压保护电路,其特征在于,所述高压负电压保护电路至少包括:第一PMOS管、电流源、第二PMOS管、负电压下拉模块、限流模块及钳位模块;其中,所述第一PMOS管的源端连接正电压,漏端连接所述电流源,栅端连接输入信号;所述电流源的一端连接所述第一PMOS管,另一端连接负电压;所述第二PMOS管的源端连接所述正电压,漏端连接所述负电压下拉模块,栅端连接所述第一PMOS管的漏端及所述限流模块;所述负电压下拉模块的一端连接所述第二PMOS管的漏端作为输出端,另一端连接所述负电压,控制端通过所述限流模块连接至所述第一PMOS管的漏端,所述负电压下拉模块用于下拉所述输出端的电压;所述钳位模块的一端连接所述负电压下拉模块的控制端,另一端连接所述负电压,用于限制所述负电压下拉模块的控制端电压。
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