[发明专利]一种花状氧化铜纳米晶体的制备方法在审
| 申请号： | 201510369815.1 | 申请日： | 2015-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN106315661A | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 储德清;孙慧娄;杨路峰;王志龙;葛歌 | 申请（专利权）人： | 天津工业大学 |
| 主分类号： | C01G3/02 | 分类号： | C01G3/02;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300160*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开一种花状氧化铜纳米晶体的制备方法，该方法通过以下方法完成：以铜盐、抗坏血酸和聚乙烯吡咯啉酮为原料，蒸馏水/甘油为溶剂，在常温下反应5～40min，对得到的砖红色沉淀离心、洗涤和干燥并煅烧就能制备得到分层花状氧化铜纳米材料。这种方法用到铜盐、抗坏血酸、甘油和聚乙烯吡咯啉酮等原料价格低廉易得，降低了成本，简化了操作步骤。同时本发明制备的氧化铜花状纳米晶体具有很大的比表面积，在光催化降解染料、气敏、储能、锂电池等方面有潜在的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 种花 氧化铜 纳米 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种花状氧化铜纳米晶体的制备方法，其包括如下步骤：(1)将1g聚乙烯吡咯啉酮(PVP)溶于10mL去离子水/5mL甘油，得到溶液A。将2.5mmol铜盐溶于2.5mL去离子水，得到溶液B。将0.5mmol抗坏血酸(0.0189g)溶于2.5mL去离子水，得到溶液C；(2)先将溶液B在常温下边搅拌边逐滴滴入溶液A中，搅拌均匀后将溶液C在强烈搅拌条件下逐滴滴入上述混合溶液中，反应一定时间。(3)反应结束后，将得到的砖红色沉淀取出，然后用蒸馏水和无水乙醇交替离心洗涤，然后在60℃的真空烘箱中干燥，并放入马弗炉中于500℃下煅烧4h得到花状氧化铜纳米晶体。
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