[发明专利]基于飞秒激光技术的Cu/石墨烯剥离方法有效

专利信息
申请号: 201510359627.0 申请日: 2015-06-25
公开(公告)号: CN105036118B 公开(公告)日: 2017-06-16
发明(设计)人: 刘胜;付兴铭;刘亦杰;郑怀;沈沁宇 申请(专利权)人: 武汉大学;武汉飞恩微电子有限公司
主分类号: C01B32/19 分类号: C01B32/19
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)42222 代理人: 张火春
地址: 430072 湖*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种基于飞秒激光技术的Cu/石墨烯剥离方法,属于石墨烯制备领域。该方法为(1)在铜箔上生长石墨烯;(2)将透明目标衬底键合在步骤(1)制备的石墨烯上,形成透明目标衬底/石墨烯/Cu;(3)采用飞秒激光从透明目标衬底上表面的一边进行扫描辐照,去除铜箔,即得石墨烯/透明目标衬底。其优点为提高了激光剥离的精度和效率;作为一种冷加工方式,飞秒激光辐照前后石墨烯层的温度均匀且变化不大,有效减小了石墨烯与载体衬底的热应力,提高了剥离的质量。
搜索关键词: 基于 激光 技术 cu 石墨 剥离 方法
【主权项】:
一种基于飞秒激光技术的Cu/石墨烯剥离方法,其特征在于包括如下步骤:(1)在铜箔上生长石墨烯;(2)将透明目标衬底键合在步骤(1)制备的石墨烯上,形成透明目标衬底/石墨烯/Cu;(3)采用飞秒激光从透明目标衬底上表面的一边进行扫描辐照,去除铜箔,即得石墨烯/透明目标衬底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉大学;武汉飞恩微电子有限公司,未经武汉大学;武汉飞恩微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510359627.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top