[发明专利]一种超低衰减单模光纤有效

专利信息
申请号: 201510359529.7 申请日: 2015-06-25
公开(公告)号: CN104880766B 公开(公告)日: 2018-01-12
发明(设计)人: 张磊;龙胜亚;朱继红;吴俊;王瑞春 申请(专利权)人: 长飞光纤光缆股份有限公司
主分类号: G02B6/036 分类号: G02B6/036
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司42102 代理人: 胡建平
地址: 430073 湖北省*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种超低衰减单模光纤,包括有芯层和包层,其特征在于芯层半径R1为3.8~4.5μm,Δ1为‑0.05%~0.12%,芯层外从内向外依次包覆内包层,第一下陷内包层,中间内包层,第二下陷内包层,辅助外包层和外包层,内包层半径R2为8~15μm,Δ2为‑0.35%~‑0.15%,第一下陷内包层半径R3为13~20μm,Δ3为‑0.8%~‑0.35%,中间内包层半径R4为16~23μm,Δ4为‑0.45%~‑0.15%;第二下陷内包层半径R5为20~30μm,Δ5为‑0.6%~‑0.25%;辅助外包层半径R6为35~50μm,Δ6范围为‑0.45%~‑0.15%;外包层为纯二氧化硅玻璃层。本发明在获得较低衰减系数的同时,各个光学参数满足G.652.B标准要求,并且具有较好的弯曲损耗、色散性能。
搜索关键词: 一种 衰减 单模 光纤
【主权项】:
一种超低衰减单模光纤,包括有芯层和包层,其特征在于所述芯层的半径R1为3.8~4.5μm,芯层相对折射率差Δ1为‑0.05%~0.12%,芯层外从内向外依次包覆内包层,第一下陷内包层,中间内包层,第二下陷内包层,辅助外包层和外包层,所述的光纤的内包层半径R2为8~15μm,相对折射率差Δ2为‑0.35%~‑0.15%,所述第一下陷内包层的半径R3为13~20μm,相对折射率差Δ3为‑0.8%~‑0.35%,中间内包层半径R4为16~23μm,相对折射率差Δ4为‑0.45%~‑0.15%;第二下陷内包层半径R5为20~30μm,相对折射率差Δ5为‑0.6%~‑0.25%;所述辅助外包层的半径R6为35~50μm,相对折射率差Δ6范围为‑0.45%~‑0.15%;所述外包层为纯二氧化硅玻璃层。
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