[发明专利]横波直入射电磁超声传感器有效
| 申请号： | 201510342382.0 | 申请日： | 2015-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN105043310B | 公开（公告）日： | 2018-03-16 |
| 发明（设计）人： | 郑阳;郑晖;李素军;赵泓 | 申请（专利权）人： | 中国特种设备检测研究院 |
| 主分类号： | G01B17/02 | 分类号： | G01B17/02;G01N29/34 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 王涛 |
| 地址： | 100013 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种横波直入射电磁超声传感器，包括外壳；圆柱形磁铁，设置于外壳内，自上而下产生凸台状分布的偏置磁场；电磁屏蔽层，套设在圆柱形磁铁的外侧；一体式环形线圈，包括环形线圈及引线，设置在所述外壳下部的凹台中；阻热层，设置于所述外壳底部的外侧，以封住所述一体式环形线圈；上端封头，与所述外壳配合封住所述外壳的开口；信号接头，设置在所述上端封头，连接一导线与所述引线；垫圈，设置在所述外壳底部，位于所述电磁屏蔽层与环形线圈之间，其底部通过所述外壳内侧壁的凸起支撑；其中，所述圆柱形磁铁产生的所述凸台状分布的偏置磁场的顶部位于所述一体式环形线圈处。本发明可以提供直入射横波，对温度高达650度的导体进行超声波测厚和探伤。 | ||
| 搜索关键词： | 横波直 入射 电磁 超声 传感器 | ||
【主权项】：
一种横波直入射电磁超声传感器，其特征在于，所述的横波直入射电磁超声传感器包括：外壳；圆柱形磁铁，设置于所述外壳内，自上而下产生凸台状分布的偏置磁场；电磁屏蔽层，套设在所述圆柱形磁铁的外侧；一体式环形线圈，包括环形线圈及引线，所述环形线圈设置在所述外壳下部的凹台中；阻热层，设置于所述外壳底部的外侧，以封住所述一体式环形线圈；上端封头，与所述外壳配合封住所述外壳的开口；信号接头，设置在所述上端封头上，连接一导线与所述引线；垫圈，设置在所述外壳底部，位于所述电磁屏蔽层与环形线圈之间，其底部通过所述外壳内侧壁的凸起支撑；其中，所述圆柱形磁铁产生的所述凸台状分布的偏置磁场的顶部位于所述一体式环形线圈处；所述横波直入射电磁超声传感器的检测频率范围500kHz～20MHz。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国特种设备检测研究院，未经中国特种设备检测研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510342382.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
