[发明专利]一种微波用单层电容器的薄金刻蚀方法在审
| 申请号： | 201510338413.5 | 申请日： | 2015-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN106252070A | 公开（公告）日： | 2016-12-21 |
| 发明（设计）人： | 王利凯;刘剑林;魏栩曼;韩玉成 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团云科电子有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/012 | 分类号： | H01G4/012;C23F1/44 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 550000 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微波用单层电容器的薄金刻蚀方法，包括以下步骤：(1)把要制作的微波用单层电容器的陶瓷基板，先进行清洗干净后溅射过渡层钛钨和功能层金；(2)匀胶、曝光，显影后不去胶；(3)电镀金，使金电极达到产品要求厚度3～4μm，再电镀保护层，保护层厚度为0.4～0.8μm；(4)进行刻蚀过程：丙酮去胶；刻金1～2min；刻钛钨1～2min；刻保护层。本发明刻蚀时间短，丙酮去胶，刻金1～2min，时间好控制，刻蚀效果明显改善合格率提高，过刻或欠刻现象不再存在，刻蚀溶液使用周期长，利用率高，降低刻蚀液的使用成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微波 单层 电容器 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种微波用单层电容器的薄金刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)把要制作的微波用单层电容器的陶瓷基板，先进行清洗干净后溅射过渡层钛钨和功能层金；(2)用CP50胶进行匀胶，并用负掩模板曝光，显影后不去胶；(3)电镀金，使金电极达到产品要求厚度3～4μm，再电镀保护层到金电极表面覆盖金层用于保护金层，保护层厚度为0.4～0.8μm；(4)进行刻蚀过程：丙酮去胶；刻金1～2min；刻钛钨1～2min；刻保护层。
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