[发明专利]包括自组装嵌段共聚物的膜和通过喷涂涂覆制造该膜的方法(IIC)有效
申请号: | 201510334208.1 | 申请日: | 2015-03-31 |
公开(公告)号: | CN105273220B | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
发明(设计)人: | K·A-H·H·阿梅尔;A·辛格;S·施 | 申请(专利权)人: | 帕尔公司 |
主分类号: | C08J9/28 | 分类号: | C08J9/28;C08J9/26;C08J5/18;C08L53/00;C08F293/00;B01D67/00;B01D69/12;B01D71/80 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 汪宇伟 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: |
公开了自组装嵌段共聚物形成的膜,例如,具有式(I)的二嵌段共聚物: |
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搜索关键词: | 式( I ) 自组装嵌段共聚物 二嵌段共聚物 纳米多孔膜 喷涂 涂覆 制备 薄膜 退火 聚合物溶液 嵌段共聚物 溶剂混合物 溶剂蒸气 自组装 溶剂 浸泡 制造 | ||
【主权项】:
1.一种制备包括式(I)或(II)的嵌段共聚物的多孔膜的方法: 其中:R1 是C1 -C22 烷基基团,其可选地被选自卤素、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基,酰氨基和硝基的取代基取代,或C3 -C11 环烷基基团,其可选地被选自烷基、卤素、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基,酰氨基和硝基的取代基取代;R2 是C6 -C20 的芳基基团或者杂芳基基团,其可选地被选自羟基、氨基、卤素、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、酰氨基和硝基的取代基取代;R3 和R4 之一是C6 -C14 芳基基团,其可选地被选自羟基、卤素、氨基和硝基的取代基取代,和R3 和R4 的另一个是C1 -C22 烷氧基基团,其可选地被选自羧基、氨基、巯基、炔基、烯基、卤素、叠氮基和杂环基的取代基取代;和n和m是相对独立的10至2000;所述方法包括:(i)在溶剂体系里溶解所述嵌段共聚物以获得聚合物溶液;(ii)喷涂涂覆聚合物溶液到基材上;(iii)在包括溶剂或者溶剂混合物的蒸气里退火(ii)中获得的涂层以获得自组装结构;和可选地(iv)在溶剂或者溶剂混合物中退火或者浸泡(iii)中获得的自组装结构以获得多孔膜。
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