[发明专利]一种基于氧化钒的室温甲烷气体传感器的制备方法在审
申请号: | 201510324955.7 | 申请日: | 2015-06-12 |
公开(公告)号: | CN104878360A | 公开(公告)日: | 2015-09-02 |
发明(设计)人: | 梁继然;刘俊锋;李娜;李文娇 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/14;C23C14/58 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 宋洁瑾 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明提供了一种基于氧化钒的室温甲烷气体传感器的制备方法,首先溅射,淀积交叉金属铂电极,通过直流磁控溅射镀金属钒纳米薄膜,再溅射掺杂金属铂颗粒,然后利用快速退火技术进行氧化生成氧化钒,最后进行传感器的气敏测试。本发明方法克服其他甲烷传感器工作温度点高的缺点,简单、易操作、在室温工作,是一种具有较高灵敏度、较高选择性、掺杂金属铂颗粒的氧化钒薄膜甲烷气敏传感器的制备方法。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 氧化 室温 甲烷 气体 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于氧化钒的室温甲烷气体传感器的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)清洗陶瓷片基底:在超声清洗器中分别用丙酮、无水乙醇超声清洗陶瓷衬底,之后用去离子水、无水乙醇清洗陶瓷衬底,最后用红外线快速干燥箱干燥;(2)溅射交叉铂电极:用高真空磁控溅射镀膜机在上述已经清洗干净的陶瓷片衬底上镀铂的交叉电极;(3)溅射金属钒的薄膜:用超高真空直流对靶磁控溅射仪在陶瓷片衬底上淀积金属钒膜;(4)掺杂溅射金属铂颗粒:用高真空磁控溅射镀膜机进行钒金属薄膜部分金属铂的掺杂,在氧化钒纳米薄膜上形成铂的纳米颗粒;(5)快速退火制备氧化钒薄膜:将制得的金属铂掺杂的钒纳米薄膜放入快速退火炉中进行退火,获得氧化钒薄膜。
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