[发明专利]光学补偿膜在审

专利信息
申请号: 201510314176.9 申请日: 2015-06-09
公开(公告)号: CN105153442A 公开(公告)日: 2015-12-16
发明(设计)人: 金明来;孙晟豪;赵容均;金源晔;林珉贞;张太硕;郭孝信;朴珉相 申请(专利权)人: SK新技术株式会社
主分类号: C08J5/18 分类号: C08J5/18;C08L1/12;C07C281/08;C07C251/86;C07C281/04;C07C255/50;G02F1/13363
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 瞿卫军;王朋飞
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种光学补偿膜,更具体地涉及一种包含特定结构的化合物的光学补偿膜。所述光学补偿膜由于包含特定结构的化合物,使得面内的相位差及厚度方向相位差值高,具有优异的光学特性,从而在适用于图像显示装置时,在高的相位差及广视角下也能够显示出高对比度。
搜索关键词: 光学 补偿
【主权项】:
一种光学补偿膜,其特征在于,所述光学补偿膜包含化学式1或化学式2所示的化合物,并且Rin(λ)及Rth(λ)满足下述式I至III:式中,Ar为(C6‑C20)芳基或(C3‑C20)杂芳基,并且Q的邻位中的至少一个被OR取代,其中R为氢或(C1‑C10)烷基;Q为R′为氢或(C1‑C10)烷基;X选自*‑O‑R13R11、R12、R13及R14相互独立地选自氢、(C1‑C10)烷基、(C1‑C10)烷基羰基或R11及R12可以通过被取代或未被取代的(C4‑C10)亚烷基连接而形成环,所述亚烷基可以进一步被(C1‑C7)烷基取代,所述亚烷基中的任一个以上的碳原子可以进一步被选自N、O及S的一种以上的杂原子取代,所述Y为O或S,Z选自氢、*‑O‑R23R21、R22、R23及R24相互独立地为氢、(C1‑C10)烷基、(C3‑C20)环烷基、胺基,R21和R22可以通过被(C1‑C7)烷基取代或未被(C1‑C7)烷基取代的(C3‑C10)亚烷基连接而形成环,所述亚烷基中的任一个以上的碳原子可以进一步被选自N、O及S的一种以上的杂原子取代;Ar可以进一步被选自(C1‑C7)烷基、(C1‑C7)烷氧基、(C3‑C20)环烷基、(C1‑C7)烷基羰基、(C3‑C20)环羰基、(C1‑C7)烷基硫基、(C3‑C20)环硫基、(C1‑C7)烷基亚砜基、(C3‑C20)环亚砜基、(C1‑C7)烷基磺酰基、(C3‑C20)环磺酰基、(C1‑C7)烷基羰基亚胺基、(C3‑C20)环烷基羰基亚胺基、(C1‑C7)烷基硫基亚胺基、(C3‑C20)环烷基硫基亚胺基、卤素、硝基、氰基、羟基、氨基、(C2‑C7)烯基、(C3‑C20)环烷基、包含选自N、O、S的一种以上元素的5‑7元杂环烷基中的一种以上所取代,m为1至10的整数,式中,Ar为(C6‑C20)芳基或(C3‑C20)杂芳基,但排除Q的邻位被OR取代的化合物,其中R为氢或(C1‑C20)烷基;Q为A为R1及R2相互独立地为氢、卤素、羟基、(C1‑C20)烷基或(C3‑C20)杂环烷基;R3为氢、卤素、羟基、(C1‑C20)烷基、(C1‑C20)烷基羰基、(C6‑C20)烯丙基、(C3‑C20)杂芳基或(C3‑C20)杂环烷基,R3和Ar的取代基可以通过包含稠环或不包含稠环的被取代或未被取代的(C3‑C20)亚烷基或者是被取代或未被取代的(C3‑C20)亚烯基连接而形成脂环族环及单环或多环的芳香族环,所述形成的脂环族环及单环或多环的芳香族环的碳原子可以被选自氮、氧及硫的一种以上的杂原子取代;R4为氢或(C1‑C20)烷基;X为O或S;Z为(C1‑C20)烷基、‑N(R11R12)或‑O(R13),R11至R13相互独立地选自氢、(C1‑C20)烷基,R11及R12可以通过包含稠环或不包含稠环的被取代或未被取代的(C3‑C20)亚烷基或者是被取代或未被取代的(C3‑C20)亚烯基连接而形成脂环族环及单环或多环的芳香族环,所述形成的脂环族环及单环或多环的芳香族环的碳原子可以被选自氮、氧及硫的一种以上的杂原子取代;n为0至3的整数;m为1至10的整数;所述R1至R3的烷基、杂环烷基,R4的烷基,Z的烷基,R11至R13的烷基及Z和R3的脂环族环或芳香族环相互独立地可以进一步被选自卤素、硝基、氰基、羟基、氨基、(C1‑C20)烷基、(C1‑C20)烷氧基、(C2‑C20)烯基、(C3‑C20)环烷基、包含选自N、O、S的一种以上元素的5‑7元杂环烷基中的一种以上所取代,(I)30≤Rin(550)≤100(II)70≤Rth(550)≤200(III)0.9≤Rth(450)/Rth(550)≤1.05式中,Rin(λ)为在波长λnm下的面内相位差(nm),Rth(λ)为在波长λnm下的厚度方向的相位差(nm)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于SK新技术株式会社,未经SK新技术株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510314176.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top