[发明专利]包括再分布层的半导体器件有效
| 申请号: | 201510293448.1 | 申请日: | 2015-06-01 |
| 公开(公告)号: | CN106205670B | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
| 发明(设计)人: | 金泰均 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号: | G11C11/406 | 分类号: | G11C11/406 |
| 代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 俞波;毋二省 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 公开了一种半导体器件。该半导体器件可以包括第一再分布层,所述第一再分布层被配置用来允许通过第一再分布层输入和输出第一信号。半导体器件可以包括第二再分布层,所述第二再分布层被配置用来允许通过第二再分布层输入和输出信号。半导体器件可以包括第一输入/输出(I/O)单元,所述第一输入/输出(I/O)单元被配置用来通过第一I/O单元输入和输出第一信号或者第二信号。半导体器件包括第一选择单元,所述第一选择单元被配置用来响应第一选择信号的逻辑电平以选择性地耦接第一再分布层、第二再分布层和第一I/O单元之间的连接。半导体器件可以包括被配置用来产生第一选择信号的第一选择信号发生单元。 | ||
| 搜索关键词: | 包括 再分 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,包括:第一再分布层,被配置用来允许第一信号通过所述第一再分布层输入和输出;第二再分布层,被配置用来允许第二信号通过所述第二再分布层输入和输出;第一输入/输出I/O单元,被配置用来使所述第一信号或者所述第二信号通过所述第一I/O单元来输入和输出;第一选择单元,被配置用来响应第一选择信号的逻辑电平以选择性地耦接所述第一再分布层、所述第二再分布层和所述第一I/O单元之间的连接;以及第一选择信号发生单元,被配置用来产生所述第一选择信号。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司,未经爱思开海力士有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510293448.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:存储器装置与其相关的抹除方法
- 下一篇:一种老年人提醒仪装置





