[发明专利]传感器装置和传感器布置有效
| 申请号： | 201510247320.1 | 申请日： | 2015-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN105098061B | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | U.奥瑟莱希纳 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 王岳,胡莉莉 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及传感器装置和传感器布置。根据实施例的垂直霍尔传感器结构包括被布置在霍尔效应区域的第一界面和第二界面之间的霍尔效应区域、第一触点、第二触点、第三触点和第四触点，第一、第二、第三和第四触点比到所述第二界面更靠近第一界面并且与霍尔效应区域接触，其中在第一和第二触点之间的电阻基本上等于第三和第二触点之间的电阻，比到第一界面更靠近第二界面并且与霍尔效应区域接触的导电层，导电层包括比所述霍尔效应区域更高的导电率，其中在第四触点和导电层之间的电阻低于在第二触点和导电层之间的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 装置 布置 | ||
【主权项】：
一种垂直霍尔传感器结构，包括：被布置在霍尔效应区域的第一界面和第二界面之间的霍尔效应区域；第一触点、第二触点、第三触点和第四触点，所述第一、第二、第三和第四触点比到所述第二界面更靠近所述第一界面并且与所述霍尔效应区域接触，其中在所述第一和第二触点之间的电阻基本上等于在所述第三和第二触点之间的电阻；以及导电层，其比到所述第一界面更靠近所述第二界面并且与霍尔效应区域接触，所述导电层包括比所述霍尔效应区域更高的导电率；其中在所述第四触点和所述导电层之间的电阻低于在所述第二触点和所述导电层之间的电阻。
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