[发明专利]电子照相用构件、处理盒和电子照相设备有效

专利信息
申请号: 201510246726.8 申请日: 2015-05-14
公开(公告)号: CN105093875B 公开(公告)日: 2018-04-06
发明(设计)人: 山口壮介;山田真树;山内一浩;西冈悟;新藤太一 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: G03G15/02 分类号: G03G15/02;G03G15/08
代理公司: 北京魏启学律师事务所11398 代理人: 魏启学
地址: 日本东京都大*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及电子照相用构件、处理盒和电子照相设备。本发明提供即使当在高温高湿环境下贮存或使用时也具有优异的变形恢复性、对形成高品质电子照相图像有用的电子照相用构件;处理盒;和电子照相设备。本发明的电子照相用构件包括导电性芯轴和导电层;所述导电层包含由离子导电剂和能够与所述离子导电剂反应的化合物合成的树脂;离子导电剂包含特定的阴离子和具有至少3个羟基的阳离子;所述化合物能够与羟基反应。
搜索关键词: 电子 照相 构件 处理 设备
【主权项】:
一种电子照相用构件(16;24),其包括导电性芯轴(2)和导电层(3;4;5),其特征在于:所述导电层(3;4;5)包含由离子导电剂和能够与所述离子导电剂反应的化合物合成的树脂;所述离子导电剂包含阴离子和具有至少三个羟基的阳离子;所述化合物能够与羟基反应;所述阴离子为选自由氟化磺酸根阴离子、氟化羧酸根阴离子、氟化磺酰基酰亚胺阴离子、氟化磺酰基甲基化物阴离子、二氰胺阴离子、氟化烷基氟硼酸根阴离子、氟化磷酸根阴离子、氟化锑酸根阴离子、氟化砷酸根阴离子和双(草酸)硼酸根阴离子组成的组的至少之一。
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