[发明专利]类石墨烯四氧化三钴纳米薄膜材料的制备方法及制备电极片的应用在审
| 申请号： | 201510184629.0 | 申请日： | 2015-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN104916454A | 公开（公告）日： | 2015-09-16 |
| 发明（设计）人： | 邓意达;冯超;胡文彬;钟澄 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01G11/46 | 分类号： | H01G11/46;H01G11/86;B82Y30/00;B82Y40/00;C01G51/04 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 300072 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及类石墨烯四氧化三钴纳米薄膜材料的制备方法及制备电极片的应用。分别称取钴盐、钠盐在去离子水中溶解，得到钴盐溶液、钠盐溶液；取等体积的钴盐溶液、钠盐溶液混合，进行恒温水浴搅拌均匀，得到混合溶液；向混合溶液中加入氨水，得到含有钠盐的钴氨配合物溶液；然后滴入双氧水，得到的混合溶液在密封下进行水热处理，得到黑色沉淀；将所述黑色沉淀依次经去离子水、无水乙醇洗涤，空气气氛下干燥，得到类石墨烯四氧化三钴纳米薄膜。将类石墨烯四氧化三钴纳米薄膜与导电剂和粘结剂混合，搅拌后得到浆料；将浆料均匀刮凃于预处理后的泡沫镍上，干燥，压片，即得所述电极片。本发明制备方法所需设备条件较简单，操作方便，制备成本低，适合于工厂化大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 氧化 纳米 薄膜 材料 制备 方法 电极 应用 | ||
【主权项】：
一种类石墨烯四氧化三钴纳米薄膜的制备方法，其特征是步骤如下：1)、分别称取钴盐、钠盐在去离子水中溶解，得到250～400g/L钴盐溶液、180～300g/L钠盐溶液；2)、取等体积的钴盐溶液、钠盐溶液混合，进行恒温水浴搅拌均匀，得到混合溶液；3)、向混合溶液中加入氨水，搅拌均匀，得到含有钠盐的钴氨配合物溶液；然后滴入双氧水，每升溶液中双氧水用量为120～300mL；4)、将步骤3)得到的混合溶液在密封的条件下进行水热处理，得到黑色沉淀；5)、将所述黑色沉淀依次经去离子水、无水乙醇洗涤，空气气氛下干燥，得到类石墨烯四氧化三钴纳米薄膜。
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