[发明专利]小型化、集成化的硅基场发射‑接收器件有效
| 申请号： | 201510094671.3 | 申请日： | 2015-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN104658831B | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 陈平;赵德刚;朱建军;刘宗顺;江德生;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种小型化、集成化的硅基场发射‑接收器件，包括一n型硅衬底；一纳米尖端结构，其制作于n型硅衬底上表面的中间部位，其材料与n型硅衬底的材料相同；一二氧化硅绝缘层，其制作于n型硅衬底上，其中间有一电子发射‑接收窗口，该电子发射‑接收窗口围绕在纳米尖端结构的周围；一n型掺杂硅片，其制作在二氧化硅绝缘层上，且覆盖二氧化硅绝缘层上的电子发射‑接收窗口；一高压源，其正极与n型掺杂硅片连接；一电流表，其正极与高压源连接，负极与n型硅衬底连接。本发明有利于提高大规模研制真空微纳器件过程中的性能和成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 小型化 集成化 硅基场 发射 接收 器件 | ||
【主权项】：
一种小型化、集成化的硅基场发射‑接收器件，包括：一n型硅衬底；一纳米尖端结构，其制作于n型硅衬底上表面的中间部位，其材料与n型硅衬底的材料相同；一二氧化硅绝缘层，其制作于n型硅衬底上，其中间有一电子发射‑接收窗口，该电子发射‑接收窗口围绕在纳米尖端结构的周围；一n型掺杂硅片，其制作在二氧化硅绝缘层上，且覆盖二氧化硅绝缘层上的电子发射‑接收窗口；一高压源，其正极与n型掺杂硅片连接；一电流表，其正极与高压源连接，负极与n型硅衬底连接。
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