[发明专利]晶圆表面氧化层的研磨方法在审
| 申请号： | 201510080427.1 | 申请日： | 2015-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN105983898A | 公开（公告）日： | 2016-10-05 |
| 发明（设计）人： | 孙涛;沈叶舟;唐强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆表面氧化层的研磨方法，将一表面形成有氧化层的晶圆置于研磨头上，所述研磨头施加一定压力使所述晶圆的表面紧压到研磨垫上，所述研磨垫上具有多个同心的环形凹槽；根据要研磨掉的氧化层的厚度，向所述研磨垫注入研磨液，同时选定所述研磨垫上距离研磨垫中心不同位置的凹槽注入相应流量的氨水，并设定研磨头的转速及承载所述研磨垫的转盘的转速，以对所述晶圆表面的氧化层进行研磨，较为合理的设定影响研磨均匀度的因素实现对晶圆表面氧化层的研磨，研磨后的氧化层表面较为平整，研磨掉的厚度较为均匀，提高了产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 氧化 研磨 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆表面氧化层的研磨方法，其特征在于，包括以下步骤：将一表面形成有氧化层的晶圆置于研磨头上，所述研磨头施加一定压力使所述晶圆的表面紧压到研磨垫上，所述研磨垫上具有多个同心的环形凹槽；根据要研磨掉的氧化层的厚度，向所述研磨垫注入研磨液，同时选定所述研磨垫上距离研磨垫中心不同位置的凹槽注入相应流量的氨水，并设定研磨头的转速及承载所述研磨垫的转盘的转速，以对所述晶圆表面的氧化层进行研磨。
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