[发明专利]晶闸管控制变压器型单相可控并联电抗器低压物理模型有效
| 申请号： | 201510070683.2 | 申请日： | 2015-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN104682385B | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 李琳;杨光;张喜乐;刘力强;陈绍君 | 申请（专利权）人： | 华北电力大学 |
| 主分类号： | H02J3/00 | 分类号： | H02J3/00;H02J3/18 |
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| 地址： | 102206 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种晶闸管控制变压器型单相可控并联电抗器低压物理模型属于电力可控电抗器试验模型技术领域。该物理模型本体为单相三柱三绕组结构，三个绕组共心围绕在电抗器铁心中柱周围，三个绕组的上下端部与上下铁轭之间分别由一个磁压板，两个磁压板中心开孔，铁心中柱穿过两个磁压板的中心孔与上下铁轭相连；三个绕组由内至外依次为二次绕组、滤波绕组和一次绕组，其中二次绕组与反并联晶闸管相连，滤波绕组与滤除高次奇次谐波的滤波器组相连，一次绕组与交流电源相连。该低压物理模型能够很好的反映晶闸管控制变压器型单相可控并联电抗器的物理特性，为进行晶闸管控制变压器型单相可控并联电抗器相关试验研究提供了物理试验对象。 | ||
| 搜索关键词： | 晶闸管 控制 变压器 单相 可控 并联 电抗 低压 物理 模型 | ||
【主权项】：
晶闸管控制变压器型单相可控并联电抗器低压物理模型，其特征在于：该物理模型的本体为单相三柱三绕组结构，二次绕组(2)、滤波绕组(3)、一次绕组(4)从内到外共心围绕在电抗器的铁心中柱(1)周围；二次绕组(2)、滤波绕组(3)、一次绕组(4)的上端部和下端部分别由一个磁压板(6)覆盖，两个磁压板(6)的中心开孔，铁心中柱(1)的上下端分别穿过两个磁压板(6)的中心孔与上铁轭(5)以及下铁轭(7)相连；两个磁压板(6)与二次绕组(2)、滤波绕组(3)、一次绕组(4)之间，以及磁压板(6)与上铁轭(5)、下铁轭(7)之间分别设置绝缘件；二次绕组(2)与反并联晶闸管相连组成回路，滤波绕组(3)与滤除高次奇次谐波的滤波器组相连组成回路，一次绕组(4)与交流电源相连组成回路。
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