[发明专利]一种多晶硅锭的铸造方法

摘要

本发明公开了一种多晶硅锭的铸造方法，包括装料，即将硅料装填入喷涂有氮化硅涂层的坩埚中；加热，即使用多晶炉对上步所得坩埚进行加热；融化成核，即通过加热使坩埚中的硅料融化，当硅料从坩埚底部漂起时立即进行开笼冷却，以形成晶核；和长晶，即使硅晶进行生长。使用本发明提供的方法生产多晶硅锭具有生产周期短，成本低，硅锭质量高等特点，所得多晶硅片具有晶粒尺寸均匀，缺陷密度小，硅片光电转化效率高等特点。

主权项

一种多晶硅锭的铸造方法，包括以下步骤：步骤A)：将硅料装填入喷涂有氮化硅涂层的坩埚中；步骤B)：对步骤A)中得到的坩埚进行加热至1500～1530℃；步骤C)：将步骤B)中得到的坩埚升温至1550～1560℃,当硅料从坩埚底部漂起时，打开隔热笼至隔热笼最大开度的1/2～1/3，并将温度设定下调5～10℃，保持该隔热笼开度和下调后的温度设定10～30分钟，将温度设定升至1550～1560℃并降低隔热笼开度至隔热笼最大开度的1/5～1/10，继续以1550～1560℃的温度设定融化5～7小时，然后再次提升隔热笼开度至上一开度的1.6～1.8倍并将温度设定为1520～1530℃,保持该隔热笼开度和1520～1530℃的温度设定至漂浮在表面的硅料融化，继续保持该隔热笼开度和1520～1530℃的温度设定至晶体高度为1～2cm；步骤D)：进行长晶，长晶结束后，退火、冷却，即得到所述多晶硅锭。