[发明专利]AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法有效
申请号: | 201510039465.2 | 申请日: | 2015-01-26 |
公开(公告)号: | CN104575386B | 公开(公告)日: | 2017-01-11 |
发明(设计)人: | 韩佰祥 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/3258 | 分类号: | G09G3/3258 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法。该AMOLED像素驱动电路采用6T2C结构,包括第一、第二、第三、第四、第五、第六薄膜晶体管(T1、T2、T3、T4、T5、T6)、第一、第二电容(C1、C2)、及有机发光二极管(OLED),第一薄膜晶体管(T1)为驱动薄膜晶体管,第五薄膜晶体管(T5)为开关薄膜晶体管;并引入第一控制信号(G1)、第二控制信号(G2)、与第三控制信号(G3),三者相结合先后对应于一数据信号写入阶段(1)、一全局补偿阶段(2)、一充电阶段(3)、及一发光阶段(4),能够有效补偿驱动薄膜晶体管及有机发光二级管的阈值电压变化,使AMOLED的显示亮度较均匀,提升显示品质。 | ||
搜索关键词: | amoled 像素 驱动 电路 方法 | ||
【主权项】:
一种AMOLED像素驱动电路,其特征在于,包括:第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、及有机发光二极管(OLED);所述第一薄膜晶体管(T1)为驱动薄膜晶体管,所述第五薄膜晶体管(T5)为开关薄膜晶体管;所述第五薄膜晶体管(T5)的栅极电性连接于扫描信号(Scan),源极电性连接于数据信号(Data),漏极电性连接于第一节点(D);所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极电性连接于第一控制信号(G1),源极电性连接于第一节点(D),漏极电性连接于第二节点(A);所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接于第二控制信号(G2),源极电性连接于第二节点(A),漏极电性连接于第三节点(G);所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接于第一控制信号(G1),源极电性连接于第三节点(G),漏极电性连接于第二电容(C2)的一端及参考电压(Vref);所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接于第三节点(G),漏极电性连接于电源正电压(VDD),源极电性连接于第四节点(S);所述第六薄膜晶体管(T6)的栅极电性连接于第三控制信号(G3),源极电性连接于第四节点(S),漏极电性连接于有机发光二极管(OLED)的阳极;所述第一电容(C1)的一端电性连接于第二节点(A),另一端电性连接于第四节点(S);所述第二电容(C2)的一端电性连接于第二晶体管(T2)的漏极及参考电压(Vref),另一端电性连接于第一节点(D);所述有机发光二极管(OLED)的阳极电性连接于第六晶体管(T6)的漏极,阴极电性连接于电源负电压(VSS)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510039465.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:像素驱动电路及其驱动方法
- 下一篇:一种扫描驱动电路结构及有机发光显示器