[发明专利]基于硅基二极管的新型磁传感器及制备方法在审
| 申请号： | 201510016078.7 | 申请日： | 2015-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN104681714A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 隋文波;杨德政;薛德胜;司明苏 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | H01L43/10 | 分类号： | H01L43/10;H01L43/06;H01L43/14 |
| 代理公司： | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人： | 宋敏 |
| 地址： | 730000 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于硅基二极管的新型磁传感器及制备方法，其中基于硅基二极管的新型磁传感器的制备方法，包括在60keV加速电压下，在n硅基片的正面注入剂量为1×1015 atom/cm3的磷离子形成Si n+层，在40keV加速电压下，在n硅基片的反面注入剂量为2×1014atom/cm3的硼离子形成Si p+层，而n型硅基片Si n+层和Si p+层之间没有注入磷离子和硼离子为Si n层的步骤； 在Si n+层和Si p+层上通过在溅射方法制备Cu极板的步骤。提供一种有效、简单并且具有高灵敏度的而且适合测量任意范围磁场大小的基于硅基二极管的新型磁传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 二极管 新型 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于硅基二极管的新型磁传感器的制备方法，其特征在于，包括在60 keV加速电压下，在n硅基片的正面注入剂量为1×1015 atom/cm3的磷离子形成Si n+层，在40 keV加速电压下，在n硅基片的反面注入剂量为2×1014 atom/cm3的硼离子形成Si p+层，而n型硅基片Si n+层和Si p+层之间没有注入磷离子和硼离子为Si n层的步骤；以及在Si n+层和Si p+层上通过在溅射方法制备Cu极板的步骤。
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