[发明专利]一种柔性超疏水超疏油结构制备方法有效

专利信息
申请号: 201510015009.4 申请日: 2015-01-13
公开(公告)号: CN104627952A 公开(公告)日: 2015-05-20
发明(设计)人: 廖广兰;谭先华;史铁林;独莉;刘智勇;吴悠妮 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 梁鹏
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种柔性超疏水超疏油结构制备方法,该制备方法包括如下步骤:(1)制作柔性超疏水超疏油结构底层:在基底上旋涂一层负性光刻胶,不用掩膜进行曝光;(2)在步骤(1)曝光后的负性光刻胶上旋涂一层负性光刻胶,利用阵列图形掩膜进行曝光;(3)结构层光刻胶第二次曝光:采用跟步骤(2)对应的掩模进行套刻曝光;(4)显影:将上述步骤中曝光后的结构进行显影;(5)镀保护层膜:在步骤(4)中得到的结构表面形成一层保护膜;(6)剥离:将经过步骤(5)处理后得到的结构从基底上剥离,得到所述柔性超疏水超疏油结构。按照本发明的制备方法,工艺简单,成本低廉,对该柔性超疏水超疏油结构的普及应用具有极大的促进作用。
搜索关键词: 一种 柔性 疏水 超疏油 结构 制备 方法
【主权项】:
一种柔性超疏水超疏油结构的制备方法,其特征在于,该制备方法包括如下步骤:(1)制作柔性超疏水超疏油结构底层:在基底上旋涂一层负性光刻胶,直接曝光使之成为光化学反应区域保留成为底层;(2)结构层光刻胶第一次曝光:在所述步骤(1)中曝光后的负性光刻胶上再旋涂一层负性光刻胶作为结构层光刻胶,利用阵列图形掩膜进行曝光,所述阵列图形掩膜中的单元图形中对应的光化学反应的区域为:内部为透光圆形,外部为透光环形;(3)结构层光刻胶第二次曝光:采用跟所述步骤(2)中相对应的透光圆形阵列掩模进行套刻曝光,即所述掩膜的单元图形中对应的光化学反应的区域为:内部圆形与外部环形之间的区域,且使用较小曝光剂量使产生的光化学反应的深度低于环形区域的光化学反应深度;(4)显影:将上述步骤中曝光后得到的结构进行显影;(5)镀保护层膜:在所述步骤(4)中得到的结构表面形成一层保护膜;(6)剥离:将经过所述步骤(5)处理后得到的带有保护层膜的光刻胶结构从基底上剥离,得到所述柔性超疏水超疏油结构。
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