[发明专利]一种纳米等离子体阵列激光器及其制作方法有效
| 申请号： | 201510013055.0 | 申请日： | 2015-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN104538837B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 赵青;黄小平;刘友亮;王鹏 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01S5/04 | 分类号： | H01S5/04;H01S5/20 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心51203 | 代理人： | 李明光 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种纳米等离子体阵列激光器及其制作方法，属于光学技术领域。本发明利用电泵浦半导体纳米线p‑n结阵列激发的光子和表面金属‑介质膜的相互作用产生表面等离子体激元(SPP)，进而对纳米线谐振腔中产生的光子束进行约束调控。本发明结合半导体纳米结构几何限制和表面等离子体模场对光束限制约束的双重优点，利用半导体纳米线实现工作物质和谐振腔的集成以及表面等离子体实现模场约束，最终形成半导体纳米等离子体激光器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 等离子体 阵列 激光器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种纳米等离子体阵列激光器，包括ITO电极(1)、开设有通孔阵列的绝缘介质层(3)、半导体衬底(4)及金属电极(5)，所述绝缘介质层(3)设置于半导体衬底(4)上表面，其特征在于，所述通孔阵列中的每一个通孔上均生长有半导体材料纳米线(203)，由此构成纳米线阵列(2)，所述半导体材料纳米线(203)底端与半导体衬底(4)直接相连，金属电极(5)设于半导体衬底(4)上且不与绝缘介质层(3)接触，所述半导体材料纳米线(203)侧面由内至外依次覆盖有绝缘介质薄膜层(202)和金属薄膜(201)；所述纳米线阵列(2)的顶端与ITO电极(1)的底面直接相连；ITO电极(1)上表面设有微透镜阵列(7)，用于将纳米线阵列中每根纳米线顶端发射的激光会聚准直。
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