[发明专利]一种NMOS驱动输出带隙基准电路

摘要

本发明提供一种NMOS驱动输出带隙基准电路，包括提供偏置电压的启动电路模块、用于固定带隙基准模块的两个反馈输入端的节点电压的运算放大器模块以及用于产生零温度系数的基准电压的带隙基准模块；所述启动电路模块向所述运算放大器模块及所述带隙基准模块提供偏置电压。本发明使用NMOS作为带隙基准电压的输出，提高了带隙基准的驱动能力；使用PMOS镜像启动电路的电流，带隙基准零温度系数产生电路流过几百nA电流，增强带隙基准的启动能力，提高电路的可靠性；使用单位电阻并联串联来等效电阻R0，提高电阻匹配性能，优化带隙基准精度；使用在NMOS驱动管和电源之间串联电阻，提高电路的静电保护能力。

主权项

一种NMOS驱动输出带隙基准电路，其特征在于，所述NMOS驱动输出带隙基准电路至少包括：启动电路模块、运算放大器模块以及带隙基准模块；所述启动电路模块向所述运算放大器模块及所述带隙基准模块提供偏置电压，待所述NMOS驱动输出带隙基准电路开启后所述启动电路模块自动关闭；所述运算放大器模块的正差分输入端及负差分输入端分别与所述带隙基准模块的负反馈输入端及正反馈输入端连接，用于固定所述带隙基准模块的两个反馈输入端的节点电压；所述带隙基准模块用于产生零温度系数的基准电压，其中，所述带隙基准模块的输出级为输出驱动NMOS管，所述输出驱动NMOS管的输入端连接于所述运算放大器模块的输出端；其中，所述带隙基准模块包括电流启动PMOS管、输出驱动NMOS管、第一负温度系数电压产生电阻、第二负温度系数电压产生电阻、正温度系数电压产生电阻、第一温度系数PNP晶体管以及第二温度系数PNP晶体管；其中，所述电流启动PMOS管的源端及所述输出驱动NMOS管的漏端连接电源；所述电流启动PMOS管的栅端连接于所述启动电路模块的输出端；所述输出驱动NMOS管的栅端连接于所述运算放大器模块的输出端；所述电流启动PMOS管的漏端、所述输出驱动NMOS管的源端、所述第一负温度系数电压产生电阻的一端及所述第二负温度系数电压产生电阻的一端相连，作为所述带隙基准模块的输出端输出所述基准电压；所述第一负温度系数电压产生电阻的另一端连接于所述第一温度系数PNP晶体管的发射极，作为所述带隙基准模块的正反馈输入端；所述第一温度系数PNP晶体管的基极及集电极接地；所述第二负温度系数电压产生电阻的另一端连接于所述正温度系数电压产生电阻的一端，作为所述带隙基准模块的负反馈输入端；所述正温度系数电压产生电阻的另一端连接于所述第二温度系数PNP晶体管的发射极；所述第二温度系数PNP晶体管的基极及集电极接地。