[发明专利]布设在预充电晶体管上方的预充电线有效
申请号: | 201480080758.9 | 申请日: | 2014-07-30 |
公开(公告)号: | CN106687294B | 公开(公告)日: | 2018-11-09 |
发明(设计)人: | B·B·吴;T·M·温;葛宁;J·J·兰多 | 申请(专利权)人: | 惠普发展公司有限责任合伙企业 |
主分类号: | H04N1/034 | 分类号: | H04N1/034 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;王英 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种喷嘴发射单元可以包括发射晶体管和预充电晶体管,该预充电晶体管具有耦合在预充电线与发射晶体管的栅极之间的源极和漏极,其中,预充电线布设在预充电晶体管的栅极上方。一种流体喷射设备可以包括电路,该电路包括喷嘴发射单元,该喷嘴发射单元包括发射晶体管和预充电晶体管,该预充电晶体管具有耦合在预充电线与发射晶体管的栅极之间的源极和漏极,其中,预充电线布设在预充电晶体管的栅极上方。一种电路可以包括多个发射晶体管和多个预充电晶体管,每个预充电晶体管都具有耦合在预充电线与发射晶体管中的一个发射晶体管的栅极之间的源极和漏极,其中,预充电线布设在预充电晶体管的栅极中的每个栅极上方。 | ||
搜索关键词: | 布设 充电 晶体管 上方 | ||
【主权项】:
1.一种喷嘴发射单元,包括:发射晶体管;发射电阻器;以及解码器,所述解码器包括预充电晶体管,所述预充电晶体管具有耦合在预充电线与所述发射晶体管的栅极之间的源极和漏极;其中,所述预充电线布设在所述预充电晶体管的所述栅极上方。
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