[发明专利]FED离子探测器及使用其的系统在审
| 申请号： | 201480078421.4 | 申请日： | 2014-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN106461601A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 成又庆;李椈宁;李敏浩 | 申请（专利权）人： | 电子部品研究院 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 湖州金卫知识产权代理事务所(普通合伙)33232 | 代理人： | 裴金华 |
| 地址： | 韩国京畿道城 南市盆唐*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种场效应晶体管（FET）离子传感器和使用该离子传感器的系统。本发明的FET离子传感器包括由半导体形成的沟道和设置在沟道顶部的栅极绝缘层，其中离子分子被吸附到沟道的表面，从而允许栅极绝缘层带电使得通道的导电率改变。 | ||
| 搜索关键词： | fed 离子 探测器 使用 系统 | ||
【主权项】：
一种FET离子探测器，所述探测器由FET形成，所述FET包括由半导体形成的沟道和布置在所述沟道的上表面处的栅极绝缘层，其特征在于：所述栅极绝缘层由被吸收到沟道表面的离子分子充电，以改变所述沟道的电导率。
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