[发明专利]量测方法和设备、衬底、光刻系统和器件制造方法有效
申请号: | 201480077541.2 | 申请日: | 2014-12-30 |
公开(公告)号: | CN106164775B | 公开(公告)日: | 2019-07-19 |
发明(设计)人: | H·J·H·斯米尔蒂;B·O·夫艾格金格奥尔;D·哈诺坦耶;P·沃纳尔 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张启程 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 在使用小目标的暗场量测方法中,使用单一衍射级获得的目标的图像的特性通过将组合拟合函数拟合至所测量的图像而被确定。组合拟合函数包括被选择用于表示物理传感器和目标的各个方面的项。基于测量过程和/或目标的参数确定组合拟合函数的一些系数。在一实施例中,组合拟合函数包括表示成像系统中的光瞳光阑的点扩展函数的jinc函数。 | ||
搜索关键词: | 方法 设备 衬底 光刻 系统 器件 制造 | ||
【主权项】:
1.一种测量光刻过程的性质的方法,其中所述方法使用已经通过所述光刻过程在衬底上形成的目标结构进行测量,所述方法包括步骤:使用成像系统形成目标结构的图像,所述成像系统选择在预定的照射条件下被目标结构衍射的辐射的预定部分,所述预定部分是非零级衍射辐射的在目标结构的衍射光谱中彼此对称地对置的第一部分和第二部分;分别利用所述非零级衍射辐射的所述第一部分和所述非零级衍射辐射的所述第二部分来测量所述目标结构的图像;识别在所测量的图像中的一个或多个感兴趣的区域;和使用所述一个或多个感兴趣的区域的像素的强度值确定组合拟合函数的至少一个系数的值;其中所述系数的值指示所述光刻过程的所述性质,并且其中所述组合拟合函数的系数包括可确定的系数和浮动系数,所述可确定的系数能够基于量测设备的参数或特性和/或量测处理的工艺方案和/或光刻过程的工艺方案被确定,所述浮动系数与所述目标结构的特性相关,其中所述性质从包括以下各项的组中选出:重叠、聚焦、剂量、CD或不对称度。
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