[发明专利]用于通过设计双坩埚来增强向熔体的热传递的晶体生长系统和坩埚有效
| 申请号： | 201480073958.1 | 申请日： | 2014-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN106414815B | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | T·N·斯瓦米纳坦;J·D·希尔克;S·塞佩达 | 申请（专利权）人： | 各星有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10;C30B15/12;C30B29/06;C30B15/02 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 秘凤华;马江立 |
| 地址： | 中国香港九龙柯士*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于从熔体生长晶锭的系统，其包括外坩埚、内坩埚和堰体。外坩埚包括第一侧壁和第一基部。第一侧壁和第一基部限定出用于容纳熔体的外腔室。内坩埚位于外腔室内，并具有中心纵向轴线。内坩埚包括第二侧壁和其中具有开口的第二基部。第二基部中的开口与中心纵向轴线同心。堰体设置在外坩埚与内坩埚之间以支承内坩埚。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 通过 设计 坩埚 增强 传递 晶体生长 系统 | ||
【主权项】：
1.一种用于从熔体生长晶锭的系统，所述系统包括：外坩埚，所述外坩埚包括第一侧壁和第一基部，所述第一侧壁和所述第一基部限定出用于容纳熔体的外腔室；位于所述外腔室内的内坩埚，所述内坩埚具有中心纵向轴线，所述内坩埚包括第二侧壁和其中具有开口的第二基部，所述第二基部中的所述开口与所述中心纵向轴线同心，所述第二基部从所述第二侧壁径向向内延伸并具有顶面和与所述顶面相对的底面；和设置在所述外坩埚与所述内坩埚之间的环形的第一堰体，以阻止所述熔体从所述第一堰体的外侧的位置到所述第一堰体的内侧的位置的运动，所述第一堰体沿所述底面支承所述内坩埚，所述第一堰体围绕所述第一堰体的周向与所述底面连续接触，所述第一堰体在所述内坩埚的所述第二侧壁的内侧。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于各星有限公司，未经各星有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480073958.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
