[发明专利]硅化合物的制造方法有效
申请号: | 201480067672.2 | 申请日: | 2014-12-10 |
公开(公告)号: | CN105814114B | 公开(公告)日: | 2018-08-21 |
发明(设计)人: | 星野泰辉;室谷英介;矶部辉 | 申请(专利权)人: | 旭硝子株式会社 |
主分类号: | C08G65/336 | 分类号: | C08G65/336;C07B61/00;C07F7/18;C09K3/18 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 胡烨;张佳鑫 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种硅化合物的制造方法,该方法能够以简便且容易的方法、高选择率地进行具有2‑丙烯基的化合物的氢硅烷化反应。本发明的硅化合物的制造方法是使具有‑CH2CH=CH2所表示的基团的化合物(3)和具有H‑Si键的硅化合物(4)在过渡金属催化剂(C)以及具有‑S(=O)‑所表示的基团的化合物(D)的存在下反应,得到具有‑CH2CH2CH2Si≡所表示的基团的化合物(5)。 | ||
搜索关键词: | 化合物 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种硅化合物的制造方法,其特征在于,使具有下式(3)所表示的基团的化合物和具有H‑Si键的硅化合物(4)在过渡金属催化剂(C)以及具有下式(D)所表示的基团的化合物的存在下反应,得到具有下式(5)所表示的基团的化合物:‑CH2CH=CH2…(3)‑S(=O)‑…(D)
所述具有式(D)所表示的基团的化合物是二甲亚砜或四亚甲基亚砜,所述具有式(3)所表示的基团的化合物是具有聚氧化烯链或聚氟代氧化烯链的化合物。
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