[发明专利]二次电池及其制造方法有效
申请号: | 201480067167.8 | 申请日: | 2014-11-12 |
公开(公告)号: | CN105794022B | 公开(公告)日: | 2018-07-17 |
发明(设计)人: | 田中伸;松宇正明 | 申请(专利权)人: | NEC能源元器件株式会社 |
主分类号: | H01M4/04 | 分类号: | H01M4/04;H01M2/34;H01M4/13;H01M4/139 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 闫小龙;陈岚 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 二次电池包括电池电极组件,其中正电极1和负电极6在隔膜20介于它们之间的情况下被交替地层压,并且正电极1和负电极6的每一个包括集流体3、8和形成在集流体3、8上的活性材料层2、7。在正电极和负电极中的任一个或两个中,活性材料层2具有包括第一活性材料层2a和第二活性材料层2b的多层结构,第二活性材料层的一部分或全部被定位在第一活性材料层上,第一活性材料层2a的终止位置和第二活性材料层2b的终止位置在平面方向上偏离。绝缘构件40被布置成覆盖活性材料层的涂敷部分和非涂敷部分之间的边界部分4。其中在集流体3上层压活性材料层2a、2b二者的多层部分处的平均厚度与其中绝缘构件40被定位在活性材料层2上的部分处的活性材料层2的厚度之间的差异为绝缘构件40的厚度的50%或更多。 | ||
搜索关键词: | 活性材料层 绝缘构件 负电极 集流体 正电极 二次电池 终止位置 涂敷 电池电极组件 多层结构 交替地层 平面方向 多层 隔膜 偏离 上层 覆盖 制造 | ||
【主权项】:
1.一种包括电池电极组件的二次电池,在所述电池电极组件中,正电极和负电极在隔膜介于它们之间的情况下被交替地层压,所述正电极和所述负电极中的每一个均包括集流体和形成在所述集流体上的活性材料层,其中,在所述正电极和所述负电极中的任一个或两个中,所述活性材料层具有包括第一活性材料层和第二活性材料层的多层结构,所述第二活性材料层的一部分或全部被定位在所述第一活性材料层上,所述第一活性材料层的终止位置和所述第二活性材料层的终止位置在平面方向上偏离,绝缘构件被布置成覆盖涂敷部分和非涂敷部分之间的边界部分,涂敷部分是其中形成所述活性材料层的部分,非涂敷部分是其中未形成所述活性材料层的部分,以及其中,其中在所述集流体上层压所述第一活性材料层和所述第二活性材料层二者的多层部分处的平均厚度与其中所述绝缘构件被定位在所述活性材料层上的部分处的所述活性材料层的厚度之间的差异为所述绝缘构件的厚度的50%或更多。
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