[发明专利]以耐离子轰击配置的电子发射结构有效

专利信息
申请号: 201480064904.9 申请日: 2014-11-26
公开(公告)号: CN105793952B 公开(公告)日: 2018-12-11
发明(设计)人: 监物秀宪;桝谷均;饭田耕一 申请(专利权)人: 纳欧克斯影像有限公司
主分类号: H01J35/02 分类号: H01J35/02
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 吕俊刚
地址: 英国直*** 国省代码: 英国;GB
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摘要: 公开了一种X射线发射器装置的电子发射结构设计,其被配置成便于X射线频谱下的辐射,并且还涉及防止冷阴极因高电压施加下的离子轰击而损坏。通过该发射结构发射的电子束被聚焦,并且被朝着电子阳极靶的电场加速,该电子阳极靶能够操作以将电子束吸引至关联焦斑,其中,所生成的离子沿着与和该电子阳极靶的表面并行的电场垂直的迹线加速。更具体地说,本发明涉及借助于设置被发射器区包围或者设置在发射器区之间的非发射器区,来实现一种鲁棒的冷阴极,以避免高电压施加下的粒子轰击损坏。该系统还被配置成提供校准靶阳极或阶状靶阳极,以进一步减少离子轰击损坏。
搜索关键词: 离子 轰击 配置 电子 发射 结构
【主权项】:
1.一种X射线发射器装置,该X射线发射器装置包括:电子阳极靶,该电子阳极靶生成与该电子阳极靶的表面相邻的电场;以及冷阴极电子源,该冷阴极电子源具有至少一个电子发射区,所述至少一个电子发射区被配置成朝着所述电子阳极靶发射电子;其中,所述冷阴极电子源还包括:至少一个非发射器区,所述至少一个非发射器区沿着与和所述电子阳极靶的所述表面相邻的所述电场垂直的线设置;所述至少一个非发射器区与所述冷阴极电子源的所述电子发射区不同,其中,多个场发射型电子源布置在所述至少一个电子发射区中而不是布置在所述至少一个非发射器区中,其中,离子轰击由所述至少一个非发射区接收而不由所述至少一个电子发射区接收。
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