[发明专利]用于形成和保持高性能FRC的系统和方法有效

专利信息
申请号: 201480064157.9 申请日: 2014-09-24
公开(公告)号: CN105723464B 公开(公告)日: 2019-03-12
发明(设计)人: M.图塞夫斯基;M.宾德鲍尔;D.巴恩斯;E.贾拉特;H.郭;S.普特文斯基;A.斯米尔诺夫 申请(专利权)人: 阿尔法能源技术公司
主分类号: G21B1/05 分类号: G21B1/05;G21B1/15
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 成城;谭祐祥
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种高性能场反向位形(FRC)系统包括中央约束容器(100)、联接到容器(100)的两个直径相对的反场角向箍缩形成部段(200),以及联接到形成部段(200)的两个偏滤器腔室(300)。磁性系统包括沿FRC系统部件轴向定位的准直流线圈(412、414、416)、约束腔室(100)和形成部段之间的准直流镜线圈(420)以及形成部段和偏滤器之间的镜堵漏部。形成部段(200)包括模块化脉冲式功率形成系统,其使得能够实现FRC的静态和动态形成和加速。FRC系统还包括中性原子束注入器(610、640)、弹丸注入器(700)、吸杂系统(810、820)、轴向等离子体枪和通量表面偏压电极。束注入器优选地有角度地朝向腔室的中间平面。在操作中,包括等离子体热能、总粒子数、半径和俘获磁通量的FRC等离子体参数在中性束注入期间能够维持在恒定值或恒定值附近而不衰变。
搜索关键词: 用于 形成 保持 性能 frc 系统 方法
【主权项】:
1.一种用于在约束腔室中生成和保持具有场反向位形(FRC)的磁场的方法,所述方法包括以下步骤:在所述约束腔室中绕等离子体形成FRC,其中所述FRC等离子体与所述约束腔室的壁形成隔开关系,以及通过从中性束注入器将快速中性原子束以小于正交于所述约束腔室的纵轴线的大约15‑25度的角度朝向所述约束腔室的中间平面注入FRC等离子体中,来将所述FRC保持在恒定值或恒定值附近而没有衰变,其中所述中性原子束注入器在靠近所述约束腔室的中间平面处联接到所述约束腔室,并且定向成以小于正交于所述约束腔室的所述纵轴线的大约15‑25度的角度将中性原子束朝向所述中间平面注入。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阿尔法能源技术公司,未经阿尔法能源技术公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201480064157.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top