[发明专利]存储器单元、制作方法、半导体装置、存储器系统及电子系统

摘要

磁性单元包含中间氧化物区域(例如，隧穿势垒)与第二氧化物区域之间的自由区域。两个氧化物区域均可经配置以诱发与所述自由区域的磁各向异性“MA”，从而增强所述自由区域的MA强度。接近于所述第二氧化物区域的吸气剂材料经调配且经配置以从所述第二氧化物区域移除氧以减小所述第二氧化物区域的氧浓度且因此减小其电阻。因此，所述第二氧化物区域仅最小程度地贡献于单元芯的电阻。因此，本发明的实施例实现高有效磁阻、低电阻面积乘积及低编程电压以及所述增强的MA强度。本发明还揭示制作方法、存储器阵列、存储器系统及电子系统。

主权项

1.一种半导体装置，其包括：至少一个存储器单元，其包括磁性单元芯，所述磁性单元芯包括：磁性区域，其展现可切换磁性定向；另一磁性区域，其展现固定磁性定向；中间氧化物区域，其在所述磁性区域与所述另一磁性区域之间；另一氧化物区域，其直接邻近于所述磁性区域并通过所述磁性区域与所述中间氧化物区域间隔开，所述另一氧化物区域由氧化镁组成并具有比所述中间氧化物区域低的电阻；及吸气剂区域，其接近于所述另一氧化物区域并与所述磁性区域间隔开，所述吸气剂区域由氧及吸气剂材料组成，所述吸气剂材料由钙、锶、铝或钡中的至少一者组成。