[发明专利]带有集成磁性传感器的专用集成电路有效
| 申请号： | 201480045423.3 | 申请日： | 2014-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN105579860B | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | S·劳埃德;J·I·申;J·申 | 申请（专利权）人： | 应美盛有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/02 | 分类号： | G01R33/02 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵志刚;赵蓉民 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请公开了带有磁性传感器元件和磁性存储元件的装置的方法和系统。该装置包括集成电路基板。至少含有永磁体的磁性传感元件的磁性传感器被安装在集成电路基板上。多个磁性存储元件安装在集成电路基板上，每个元件包含至少一个永磁体。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 集成 磁性 传感器 专用 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种传感器装置，包括：集成电路基板；磁性传感器，所述磁性传感器含有至少一个磁性传感器元件，所述磁性传感器元件包含永磁体，所述磁性传感器安装在所述集成电路基板上；以及多个磁性存储元件，每个磁性存储元件含有至少一个永磁体，所述多个磁性存储元件安装在所述集成电路基板上，其中所述磁性传感器至少包括一对磁性传感器元件，其中一个所述磁性传感器元件的所述永磁体的取向与另一个所述磁性传感器元件的所述永磁体的取向正交；其中所述磁性传感器元件的所述永磁体至少包含一对铁磁层即FM层和反铁磁层即AFM层，其中一个所述磁性传感器元件的所述AFM层的阻挡温度比另一个所述磁性传感器元件的所述AFM层的阻挡温度高；其中通过以大于较高的阻挡温度的温度，在第一方向上施加外部磁场，所述磁性传感器元件的所述永磁体中的一个在所述第一方向上被磁化；其中，通过以大于具有较低阻挡温度的AFM层的所述较低阻挡温度但是小于具有较高阻挡温度的AFM层的阻挡温度的温度，在第二方向上施加另一个外部磁场，所述磁性元件的所述永磁体中的另一个在所述第二方向上被磁化；以及其中聚磁器安装在所述一对磁性传感器元件上，从而使施加的正交于所述一对磁性传感器元件中的所述永磁体的取向的磁场弯曲；并且所述一对磁性传感器元件被配置为用于测量施加的正交于所述一对磁性传感器元件中的所述永磁体的取向的所述磁场的强度。
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