[发明专利]用于MRI的基于叠层设计的射频线圈单元

摘要

一种用于在磁共振成像系统中使用的射频线圈单元(10)，所述射频线圈单元(10)包括：‑至少一个电绝缘衬底(18)；‑至少一个射频线圈元件(12)，其被设置在所述电绝缘衬底(18)的第一侧(22)；‑第一电容器元件(26)，其被设置在所述电绝缘衬底(18)的所述第一侧(22)并且被通电连接到所述至少一个射频线圈元件(12)；‑第二电容器元件(28)，其被设置在所述电绝缘衬底(18)的第二侧(24)，所述第二侧(24)与所述第一侧(22)相反；其中，所述第一电容器元件(26)与所述第二电容器元件(28)在垂直于所述电绝缘衬底(18)的表面的方向(20)上至少部分地交叠；并且其中，所述至少一个射频线圈元件(12)、所述第一电容器元件(26)和所述第二电容器元件(28)是具有符合拉莫尔频率的共振频率的射频共振电路的部分，所述拉莫尔频率是由所述磁共振成像系统的磁场强度和所研究的核素的种类确定的。在所述衬底的所述第二侧的所述电容器结构具有集成共振回路结构，其共振性质指示由交叠的电容器元件形成的电容值。

主权项

1.一种用于在磁共振成像系统中使用的射频线圈单元，所述射频线圈单元包括：/n-至少一个电绝缘衬底；/n-至少一个射频线圈元件，其被形成为被设置在所述电绝缘衬底的第一侧的导电图案，并且被配置为充当所述射频线圈单元的电感元件；/n-第一电容器元件，其被形成为被设置在所述电绝缘衬底的所述第一侧的导电图案，并且被通电连接到所述至少一个射频线圈元件；/n-第二电容器元件，其被形成为被设置在所述电绝缘衬底的第二侧的导电图案，所述第二侧与所述第一侧相反；其中，/n所述第一电容器元件与所述第二电容器元件在垂直于所述电绝缘衬底的表面的方向上至少部分地交叠；/n还包括第三电容器元件和第四电容器元件，其中，所述第三电容器元件被形成为被设置在所述电绝缘衬底的所述第二侧的导电图案，并且通过导电桥图案被通电连接到所述第二电容器元件，并且其中，所述第四电容器元件被形成为被设置在所述电绝缘衬底的所述第一侧的导电图案，并且其中，所述第三电容器元件和所述第四电容器元件被配置为充当射频共振电路的部分，/n其中，所述第三电容器元件与所述第四电容器元件在垂直于所述电绝缘衬底的表面的所述方向上至少部分地交叠，/n其中，所述第二电容器元件包括至少两个相互绝缘的第二电容器元件部分，所述第三电容器元件包括至少两个相互绝缘的第三电容器元件部分，并且其中，所述通电连接包括至少两个导电桥图案，所述至少两个导电桥图案中的每一个使所述两个相互绝缘的第二电容器元件部分中的一个与两个相互绝缘的第三电容器元件部分中的一个通电连接，其中，所述至少两个导电桥图案以间隔的关系被设置，/n并且其中，/n所述至少一个射频线圈元件、所述第一电容器元件和所述第二电容器元件为具有符合拉莫尔频率的共振频率的射频共振电路的部分，所述拉莫尔频率是由所述磁共振成像系统的磁场强度和被研究的核素的种类确定的，还包括具有感测线圈区的感测线圈，其中，在垂直于所述电绝缘衬底的所述表面的所述方向上，所述感测线圈区至少部分地与在所述第二电容器元件与所述第三电容器元件之间的所述通电连接的所述至少两个导电桥图案之间的区域交叠，并且其中，所述感测线圈能连接到射频发射器并且被配置为将来自所述射频发射器的射频功率的磁场分量耦合到在所述通电连接的所述至少两个导电桥图案之间的所述区域，并且由所述第二电容器元件部分、所述第三电容器元件部分和所述桥图案形成的结构形成第二射频共振电路。/n