[发明专利]在定向凝固炉中通过在晶种上的生长制造硅柱体的方法有效
| 申请号： | 201480038780.7 | 申请日： | 2014-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN105358742B | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 艾蒂安·皮昂;瓦内萨·阿马拉尔·德·奥利韦拉;丹尼斯·卡梅尔;丹尼斯·沙夫里耶;戈蒂埃·福丁;阿妮斯·茹安;贝努瓦·玛丽;内丽·普拉萨尔 | 申请（专利权）人： | 原子能与替代能源委员会 |
| 主分类号： | C30B11/14 | 分类号： | C30B11/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋;杨生平 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在定向凝固炉中通过在晶种上的生长制造硅柱体的方法，其至少包括由以下组成的步骤：(i)提供具有纵向轴线(Z)的坩埚(1)，其中底部覆盖有直棱柱形状的单晶硅晶种(2)的层；和(ⅱ)通过在晶种上的生长在与轴线(Z)共线的生长方向上进行硅的定向凝固并具有空间上或时间上为凹面的凝固前端；其特征在于，步骤(i)中的所述层由以下构成：一个或多个中心晶种Gc；和一个或多个与晶种Gc相邻的周边晶种Gp，所述周边晶种Gp具有特定的大小。 | ||
| 搜索关键词： | 定向 凝固 通过 晶种上 生长 制造 柱体 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在定向凝固炉中通过在晶种上的再生长制造硅锭的方法，其至少包括由以下组成的步骤：(i)提供具有纵向轴线(Z)的坩埚(1)，其底部包括具有直棱柱形状的单晶硅晶种(2)的铺面；和(ⅱ)通过在晶种上的再生长在与轴线(Z)共线的生长方向上进行硅的定向凝固并具有空间上或时间上为凹面的凝固前端；其特征在于，步骤(i)中的所述铺面由以下形成：‑一个或多个中心晶种Gc；和‑一个或多个与晶种Gc相邻的周边晶种Gp，晶种Gp具有相对于由所述晶种Gp和Gc之间的边界(3)所限定的平面P对称于相邻晶种Gc的晶格的晶格；所述晶种Gp在垂直切割面中具有严格小于所述中心晶种总宽度(lu)的宽度(lp)；和调节所述周边晶种Gp的尺寸使得：lp＝d–b其中：‑d满足：d≥H.tanθmax，其中θmax是所用炉的凝固前端的角度θ的最大值，且H是沿着硅锭的轴线(Z)测量的期望的高度；和‑对于具有直角的坩埚b＝0，和b＝R内坩埚，其中R内坩埚是具有圆角接边的坩埚的斜边的尺寸。
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