[发明专利]扩散长度受保护的电路和设计方法有效
| 申请号： | 201480030890.9 | 申请日： | 2014-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN105264531B | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | K·R·贝鲁尔;H·琴恩塔拉帕利雷迪;M·圣-劳伦特;P·卡马尔;P·B·帕特尔;E·特泽格鲁 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 袁逸 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种电路包括脉冲式锁存器电路。该脉冲式锁存器电路包括第一多个晶体管。该第一多个晶体管中的一个或多个晶体管的是扩散长度(LOD)受保护的。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散 长度 保护 电路 设计 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电路，包括：包括第一多个扩散长度LOD受保护晶体管以及位于所述第一多个扩散长度LOD受保护晶体管中的一对LOD受保护晶体管之间并且毗邻于所述一对LOD受保护晶体管的第一虚设晶体管的脉冲式锁存器电路，其中所述第一多个扩散长度LOD受保护晶体管的每一者通过被配置成使得相关联的多晶硅pSi区的边缘与相关联的扩散上覆氧化物OD区的边缘之间的距离大于定义的阈值长度来成为LOD受保护的。
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