[发明专利]成像探测器

摘要

一种硅成像探测器瓦块(216)，包括硅光电传感器层(302)以及被耦合到所述硅光电传感器层的硅电子器件层(314)，所述硅光电传感器层包括多个探测器像素(304)，每个探测器像素(204)均具有光电晶体管(406)，所述硅电子器件层包括针对所述多个光电晶体管中的每个的电流频率转换器和偏压控制(404)。一种方法，包括：利用成像探测器的硅光电传感器层的探测器像素的光电晶体管并且在没有X射线辐射时，感测暗电流；利用偏压控制调节被传输到硅电子器件层的电流频率转换器的所述暗电流的量，所述硅电子器件层被耦合到所述硅光电传感器层；并且利用所述电流频率转换器转换被传输到所述电流频率转换器的所述暗电流的量。

主权项

1.一种硅成像探测器瓦块(216)，包括：硅光电传感器层(302)，其包括多个探测器像素(304)，每个探测器像素均具有光电晶体管(406)；以及硅电子器件层(314)，其被耦合到所述硅光电传感器层，所述硅电子器件层包括针对多个光电晶体管中的每个的电流频率转换器和偏压控制(404)，其中，所述多个光电晶体管中的每个均被配置为产生暗电流，并且对应的偏压控制被配置为调节被传输到对应的电流频率转换器的所述暗电流的量，并且其中，所述硅光电传感器层还包括辐射传感器(1002)，所述辐射传感器被配置为感测被沉积到所述瓦块的辐射，其中，所述偏压控制被配置为基于感测到的辐射来调节被传输到所述对应的电流频率转换器的所述暗电流的所述量。