[发明专利]功率模块有效
| 申请号： | 201480015591.8 | 申请日： | 2014-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN105052030B | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 石川秀太;田中辉明 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H02M7/5387 | 分类号： | H02M7/5387 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 张丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | A/D转换器(2)将来自温度传感器(1vn)的输出变换为数字信号。寿命诊断部(4)根据从A/D转换器(2)输出的表示温度的信号，诊断功率模块(10)的寿命。输出部(5)生成表示诊断的结果的信号，将所生成的信号从输出端子(PD)输出到外部。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 模块 | ||
【主权项】：
一种功率模块，其特征在于，具备：多个半导体芯片；1个以上的温度传感器，设置于所述多个半导体芯片的至少1个半导体芯片的周边；1个A/D转换器，将来自所述温度传感器的输出变换为数字信号；诊断部，根据从所述A/D转换器输出的表示温度的信号，诊断所述功率模块的寿命；输出部，生成表示所述诊断的结果的信号；以及输出端子，将表示所述诊断的结果的信号输出到外部，所述诊断部根据所述半导体芯片的功率周期中的寿命特性，针对每个功率周期，计算所述半导体芯片的劣化程度，将多个功率周期的劣化程度的累计计算为劣化量，所述诊断部根据由所述温度传感器检测出的1次功率周期中的最大温度、最小温度以及所述最大温度与所述最小温度的差，计算所述半导体芯片的劣化程度。
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