[发明专利]用于硅纯化的覆盖熔剂和方法有效
| 申请号： | 201480011013.7 | 申请日： | 2014-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN105246620B | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 阿兰·杜尔纳;阿布达拉·奴里;克里斯坦·阿尔弗莱德 | 申请（专利权）人： | 希利柯尔材料股份有限公司 |
| 主分类号： | B22D27/18 | 分类号： | B22D27/18;C01B33/037;C30B21/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;洪欣 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 示出覆盖熔剂方法。所示出的方法使得随着凝固前沿从模具的冷却表面向熔融硅的与所述冷却表面基本相对的表面移动，将杂质从所述固体硅中驱赶出并进入液体中以与所述硅上的熔剂层反应。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 纯化 覆盖 熔剂 方法 | ||
【主权项】：
1.用于纯化硅的方法，其包括：将熔融硅倾入模具中；在所述硅的顶表面上形成硅的固体层，并将熔剂材料置于所述固体层上；将顶部加热器置于所述模具的上方以熔化所述硅的固体层，其中所述熔剂材料保持漂浮在所述熔融硅上；从所述模具的底部向所述硅的顶表面定向凝固所述熔融硅；以及在所述硅的顶表面与所述熔剂之间的界面处使所述熔剂与杂质反应。
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