[发明专利]使用单刀三掷开关减少LNA旁路模式插入损耗的RF前端模块有效
| 申请号： | 201480006479.8 | 申请日： | 2014-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN104969479B | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 永林·柯 | 申请（专利权）人： | 密克罗奇普技术公司 |
| 主分类号： | H04B1/00 | 分类号： | H04B1/00;H04B1/403 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种具有拥有旁路模式的低噪声放大器LNA的微波射频RF前端模块FEM使用单刀三掷RF开关，所述单刀三掷RF开关将插入损耗减少到约1dB且借此相对于现有技术的两个串联连接的单刀双掷RF开关改进RF接收器敏感度。所述单刀三掷RF开关可为可布置有共同源极输入及经隔离独立漏极输出的三个金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET RF开关。所述RF开关可为单栅极、双栅极或三栅极MOSFET RF开关。所述MOSFET RF开关还可配置为互补金属氧化物半导体CMOS场效应晶体管FET RF开关。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 rf 前端 模块 使用 单刀 开关 减少 lna 旁路 模式 中的 插入损耗 | ||
【主权项】：
1.一种射频RF前端模块FEM，其包括：低噪声放大器LNA，其具有输入及输出；及单刀三掷SPTT开关，其具有共接点以及可选择第一、第二及第三位置，其中所述共接点耦合到天线节点，所述第一位置耦合到发射器输入节点，所述第二位置耦合到接收器输出节点，且所述第三位置耦合到所述LNA的所述输入，其中所述LNA的所述输出与所述接收器输出节点耦合，其特征在于，当旁路所述LNA时，所述SPTT开关仅使用直接连接所述天线节点和所述接收器输出节点的单个开关提供直接连接。
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