[发明专利]多孔聚四氟乙烯膜的制造方法以及多孔聚四氟乙烯膜有效

专利信息
申请号: 201480003283.3 申请日: 2014-06-23
公开(公告)号: CN104822442B 公开(公告)日: 2017-03-15
发明(设计)人: 林文弘;辻胁宽之;村田彩;宇野敦史 申请(专利权)人: 住友电工超效能高分子股份有限公司
主分类号: B01D71/36 分类号: B01D71/36;C08J9/00
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 代理人: 丁业平,常海涛
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供了一种制造多孔聚四氟乙烯膜的方法,该多孔聚四氟乙烯膜表现出了优异的耐化学品性和耐热性,并且具有高孔隙率和优异的尺寸稳定性。该制造多孔聚四氟乙烯膜的方法的特征在于包括拉伸步骤,其中在低于氟树脂的熔点的温度下,沿纵向和/或横向拉伸含有聚四氟乙烯作为其主要成分的氟树脂片状成形体,从而形成多孔氟树脂膜;以及拉伸步骤之后的退火步骤,其中在这样的温度下该将多孔氟树脂膜在固定形状状态下保持1至20小时,其中该温度低于氟树脂的熔点但是在比该熔点低30℃的温度以上。
搜索关键词: 多孔 聚四氟乙烯 制造 方法 以及
【主权项】:
一种制造多孔聚四氟乙烯膜的方法,包括:拉伸步骤,其中在低于氟树脂的熔点的温度下,沿纵向和/或横向拉伸由所述氟树脂构成的片状成形体,从而制备多孔氟树脂膜,其中所述氟树脂含有聚四氟乙烯作为主要成分;在所述拉伸步骤之后的退火步骤,其中将所述多孔氟树脂膜保持在固定形状状态下,并将所述多孔氟树脂膜在这样的温度下保持1至20小时,该温度比所述氟树脂的熔点低至少5℃但是在比所述熔点低20℃的温度以上;以及,在所述拉伸步骤之后且所述退火步骤之前的烧结步骤,其中,通过将所述多孔氟树脂膜在等于或高于所述氟树脂的熔点的温度下保持20秒以下,从而将所述多孔氟树脂膜烧结直至所述氟树脂的熔点峰变为333℃以下。
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