[发明专利]多极化基片集成波导天线有效
申请号: | 201480000717.4 | 申请日: | 2014-04-22 |
公开(公告)号: | CN105264714B | 公开(公告)日: | 2017-11-24 |
发明(设计)人: | 程钰间;陈一 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H01Q11/00 | 分类号: | H01Q11/00 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明实施例提供一种多极化基片集成波导天线。本发明多极化基片集成波导天线,天线为多层结构,从上到下依次包括第一金属覆铜层、第一介质层、第二金属覆铜层、第二介质层以及第三金属覆铜层,其中,所述第一介质层和所述第二介质层上均设置有金属化通孔,所述第一金属覆铜层和所述第二金属覆铜层上均设置有蚀刻槽。本发明实施例解决采用微带线馈电导致高频应用时馈电效率下降的问题。 | ||
搜索关键词: | 多极化 集成 波导 天线 | ||
【主权项】:
一种多极化基片集成波导天线,其特征在于,所述天线为多层结构,从上到下依次包括:第一金属覆铜层、第一介质层、第二金属覆铜层、第二介质层以及第三金属覆铜层,其中,所述第一介质层和所述第二介质层上均设置有金属化通孔,所述第一金属覆铜层和所述第二金属覆铜层上均设置有蚀刻槽;所述第一介质层上设置有两列相互平行的第一金属化通孔,所述两列第一金属化通孔连接所述第一金属覆铜层和第二金属覆铜层,在所述第一层介质层中形成第一介质波导;所述第一介质层上形成一排第二金属化通孔,所述第二金属化通孔与所述两列第一金属化通孔均垂直,且与所述两列第一金属化通孔的一端靠近,在所述第一层介质层中形成第一短路面;所述第二介质层上设置有两列相互平行的第三金属化通孔,所述两列第三金属化通孔连接所述第二金属覆铜层和第三金属覆铜层,在所述第二层介质层中形成第二介质波导;所述第二介质层上形成一排第四金属化通孔,所述第四金属化通孔与所述两列第三金属化通孔均垂直,且与所述两列第三金属化通孔的一端靠近,在所述第二层介质层中形成第二短路面;所述两列第一金属化通孔之间的第一中心线与所述两列第三金属化通孔之间的第二中心线在竖直方向上不重合;所述第一金属覆铜层上蚀刻有第一纵向蚀刻槽和横向蚀刻槽,所述第一纵向蚀刻槽与所述第一短路面垂直,且所述第一纵向蚀刻槽位于所述第一中心线在所述第一金属覆铜层上的竖直投影上;所述横向蚀刻槽与所述第一短路面平行;所述第二金属覆铜层上蚀刻有第二纵向蚀刻槽,所述第二纵向蚀刻槽与所述第二短路面垂直,且所述第二纵向蚀刻槽与所述第一纵向蚀刻槽在所述第二金属覆铜层上的竖直投影重合。
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