[发明专利]从反应残余物回收氢卤硅烷有效
| 申请号： | 201480000672.0 | 申请日： | 2014-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN106170325B | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 许倍荣;安东尼·D·汤普森 | 申请（专利权）人： | 陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司 |
| 主分类号： | B01D3/00 | 分类号： | B01D3/00;C07F7/16 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 刘慧;杨青 |
| 地址： | 陕西省榆林*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了从反应残余物回收氢卤硅烷的方法。使无机卤硅烷浆料穿过薄膜干燥器以移除卤硅烷并且形成包含硅颗粒的固体残余物，所述无机卤硅烷浆料包含(i)四卤硅烷、三卤硅烷、二卤硅烷、或它们的任何组合，(ii)硅颗粒，和(iii)重物质。在浆料穿过薄膜干燥器时也可移除重物质。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 残余物 回收 硅烷 | ||
【主权项】：
1.从反应残余物回收无机卤硅烷的方法，所述方法包括：使包含(i)挥发性卤硅烷、(ii)硅颗粒和(iii)重物质的无机卤硅烷浆料流经薄膜干燥器的汽化区域以使挥发性卤硅烷汽化，汽化区域具有处在或高于大气压的内部压力和内部温度T1，所述内部温度T1大于挥发性卤硅烷在汽化区域的内部压力下的沸点范围的上限值，其中薄膜干燥器在汽化区域内含有转子，该转子具有向薄膜干燥器的内壁表面延伸的多个叶片；以及该方法还包括将转子旋转以在内壁表面上形成具有≤2mm平均厚度的浆料膜，所述浆料膜经干燥形成包含硅颗粒的固体残余物；从汽化区域回收汽化的挥发性卤硅烷；从薄膜干燥器的出口回收可流动粉末形式的包含硅颗粒的固体残余物。
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