[发明专利]带有融合金属纳米线的透明导电电极、它们的结构设计及其制造方法有效
| 申请号： | 201480000277.2 | 申请日： | 2014-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN104011804B | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 潘克菲 | 申请（专利权）人： | 苏州诺菲纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | H01B1/00 | 分类号： | H01B1/00;H01B13/00;B82Y20/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215028 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种具有融合金属纳米线的透明导电电极及其制造方法。所述融合纳米线的接合点的结深度小于单个金属纳米线的直径之和。 | ||
| 搜索关键词： | 金属纳米线 透明导电电极 融合 接合点 纳米线 制造 | ||
【主权项】：
一种导电电极，其包括：基板；以及位于所述基板上的主要单层，所述单层包括直径为d1的第一金属纳米线和直径为d2的第二金属纳米线，其中将所述单层放置在酸性环境中之后，再将所述单层放置在碱性环境中,所述第一和第二金属纳米线相交处先在酸性环境中溶解、再在碱性环境中沉淀形成一个融合接合点，该融合接合点的深度为J12，其中，J12 <（d1 + d2），J12 > d1且 J12 > d2；所述导电电极的薄层电阻在1欧姆/平方至1000欧姆/平方的范围内；所述导电电极具有至少80％的透光率；所述导电电极的雾度值在0.1‑10.0的范围内是可调的。
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